事業・製品紹介

半導体製造用イオン注入装置

CLARIS®

次世代デバイスに対応したクラスターイオン注入装置

CLARIS®

特長

高精度クラスターイオン注入

  • 低エネルギーでの高生産性
  • 高精度ビーム制御

様々なプロセスメリット

  • 極浅接合の形成
  • Ge + C工程からの置き換えによる高生産化
  • 自己アモルファス化
  • 高活性化
  • 拡散抑制
  • ダメージエンジニアリング
  • NMOS歪み生成

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